『题目』：IGBT的开关速度速度要高于电力MOSFET（）
- 答案:
- A.错误
1、IGBT的开关速度要高于电力MOSFET（）
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2、IGBT器件是一种复合器件，它兼有功率MOSFET和双极型器件的开关速度快、安全工作区宽、驱动功率小、耐压高、载流能力大等优点（）
- 答案:
- A.正确
3、CRH5型动车组当在速度高于35km/h开始制动时，电力制动保持有效状态直到0Km/h（）
- 答案:
- A.错误
4、绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（）
- 答案:
- A.错误
5、如何降低管耗、提高功率、提高开关管的开关速度是电力电子发展的主要方向（）
- 答案:
- 正在整理中！
6、电力场效应晶体管具有自动关断能力，而且具有高输入阻抗、可以直接与数字逻辑集成电路连接、驱动电路简单功耗小、开关速度快达500kHz、开关损耗小、热稳定性好、不存在二次击穿问题和工作可靠等优点（）
- 答案:
- A.正确
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