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N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时,栅源电压为负值()

 

『题目』:N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时,栅源电压为负值()

  • 答案:
  • A.错误

1、绝缘栅双极型晶体管的导通和关断是由栅极电压来控制的()

  • 答案:
  • A.正确

2、根据绝缘栅双极晶体管(IGBT)的转移特性,当栅极电压UGE大于开启电压UGE(th)时,IGBT处于状态()

  • 答案:
  • A.导通

3、80年代出现了绝缘栅双极晶体管IGBT,它是一种电压控制的全控型开关元器件()

  • 答案:
  • A.正确

4、N沟道增强型绝缘栅场效晶体管,栅源电压VGS是()

  • 答案:
  • 正在整理中!

5、结型场效应晶体管外加的播源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGs大的特点()

  • 答案:
  • A.正确www.jxJУBA.СOm收集

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